芯片制造一般有六個重要步驟：

一是光刻（Photolithography）：利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上

二是離子注入（IonImplantation）：離子束射到固體材料以后，鹽田區自動化IC測燒，鹽田區自動化IC測燒，鹽田區自動化IC測燒，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并停留在固體材料中的現象

三是擴散（Diffusion）

四是薄膜淀積（Deposition）；

五是刻蝕（Etch）；

六是化學機械研磨（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）

這六個步驟在芯片制造的過程中會被反復用到，把各種不同的器件制作在硅晶圓上，然后通過金屬沉積把做好的器件連接成電路。 芯片技術的迅猛發展和不斷更新,給芯片燒錄帶來的技術性問題直接影響產品品質和生產周期。鹽田區自動化IC測燒

DIP(DualIn－line Package)雙列直插式封裝稱DIP或DIL(這是歐洲半導體制造商常用的名稱)。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。

Cerdip一一用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECLRAM，DSP(數字信號處理器)等電路。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

DIC一一陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱DIL一一DIP的別稱，歐洲半導體廠家多用此名稱。

SDIP一一收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，因而得此稱呼。引腳數從14到90。也有稱為SH-DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。

SK-DIP一一DIP的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統稱為DIP。

SL-DIP一一DIP的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統稱為DIP。 鹽田區自動化IC測燒通過IC燒錄，我們可以實現芯片的功能擴展和優化。

QFN(quad flat non-leaded package)四側無引腳扁平封裝，是高速和高頻IC用封裝。表面貼裝型封裝之一,多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業協會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難于作到QFP的引腳那樣多，一般從14到100左右。

材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm外，還有0.65mm和0.5mm兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。

PCLP一一印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引腳中心距有0.55mm和0.4mm兩種規格。目前正處于開發階段。

P-LCC一一有時候是塑料QFJ的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱。部分LSI(大規模集成電路)廠家用PLCC表示帶引線封裝，用P-LCC表示無引線封裝，以示區別

想要實現芯片的性能，功能，可靠性測試，我們具體要用哪些手段呢？

板級測試:主要應用于功能測試，使用PCB板+芯片搭建一個“模擬”的芯片工作環境，把芯片的接口都引出，檢測芯片的功能，或者在各種嚴苛環境下看芯片能否正常工作。需要應用的設備主要是儀器儀表，需要制作的主要是EVB評估板。

CP測試
常應用于功能測試與性能測試中，了解芯片功能是否正常，以及篩掉芯片晶圓中的故障芯片。CP顧名思義就是用探針來扎Wafer上的芯片，把各類信號輸入進芯片，把芯片輸出響應抓取并進行比較和計算，也有一些特殊的場景會用來配置調整芯片。需要應用的設備主要是自動測試設備+探針臺+儀器儀表，需要制作的硬件是探針卡。

FT測試

常應用與功能測試、性能測試和可靠性測試中，檢查芯片功能是否正常，以及封裝過程中是否有缺陷產生，并且幫助在可靠性測試中用來檢測經過“火雪雷電”之后的芯片是不是還能工作。需要應用的設備主要是自動測試設備+機械臂+儀器儀表，需要制作的硬件是測試板+測試插座等

系統級SLT測試 為廣大客戶群體提供芯片燒錄測試、代工燒錄、Memory高低溫設備系統、激光印字，包裝轉換、烘烤、等服務。

芯片都需要做哪些測試？

1、生產過程中的缺陷檢測：在芯片的制造過程中，有許多步驟都可能導致缺陷的產生。即使是同一批晶圓和封裝成品，每個芯片的質量也不盡相同。因此，我們需要進行性能測試，以確保篩選出合格的芯片。

2、芯片的驗證測試：制造出芯片后，為了適應不同的應用場景，我們需要對各項參數、指標和功能進行測試，以確保其達到預期的要求。

3、可靠性驗證：即使芯片通過了功能和性能測試，我們仍需要對其進行可靠性測試，以評估其在不同環境條件下的表現。例如，是否會在冬季的靜電中損壞，在雷雨天、三伏天、風雪天能否正常工作，以及芯片的壽命等問題，都需要通過可靠性測試進行評估。 OPS芯片測試服務特色包括速度、品質、管理、技術、安全等方面，是你值得信賴的芯片測試工廠。鹽田區自動化IC測燒

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IC產品可靠性等級測試之使用壽命測試項目：

1、EFR:早期失效等級測試（EarlyfailRateTest）

目的：評估工藝的穩定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的產品。

測試條件：在特定時間內動態提升溫度和電壓對產品進行測試

失效機制：材料或工藝的缺陷，包括諸如氧化層缺陷，金屬刻鍍，離子玷污等由于生產造成的失效。

2、HTOL/LTOL：高/低溫操作生命期試驗（High/LowTemperatureOperatingLife）

目的：評估器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力測試條件：125℃，1.1VCC,動態測試

失效機制：電子遷移，氧化層破裂，相互擴散，不穩定性，離子玷污等

參考標準：125℃條件下1000小時測試通過IC可以保證持續使用4年，2000小時測試持續使用8年；150℃1000小時測試通過保證使用8年，2000小時保證使用28年。 鹽田區自動化IC測燒

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